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标题: 教你识别内存! [打印本页]

作者: 围墙    时间: 2008-12-6 12:37     标题: 教你识别内存!

现代(Hynix)是非常知名的内存品牌,以前称为Hyundai。在前两年的DIY市场,大家熟悉的LGS内存也已被Hynix收归门下,所以现代的内存芯片会出现以上三种品牌,最新的当然是Hynix。下面,就向大家详细介绍现代SDRAM、DDR SDRAM、DRDRAM内存芯片的编号规则。
SDRAM内存芯片的旧编号
HY
XX X XXX XX X X X XX XX - XX XX
A B C D E F G H I J   K L
示例编号:HY57V651620A
TC-10S
9902B KOREA
A字段表示HY组成,代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存;5D代表DDR SDRAM内存。
C字段表示工作电压。U代表CMOS、2.5v电压;V代表CMOS、3.3v电压。
D字段表示密度与刷新速度。4代表4Mbit密度、1K刷新速度;16代表16Mbit密度、4K刷新速度;64代表64Mbit密度、8K刷新速度;65代表64Mbit密度、4K刷新速度;129代表128Mbit密度、4K刷新速度;257代表256Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。40代表x4;80代表x8;16代表x16;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank;2代表4Bank。
G字段表示电气接口。0代表LVTTL;1代表SSTL;2代表SSTL_2。
H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版;A代表第2版;B代表第3版;C代表第4版;D代表第5版。
I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗;L代表低功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。TC代表400milTSOPII封装;TQ代表100Pin TQFP封装。
K字段表示内存芯片的速度标识。5代表5ns(200MHz);55代表5.5ns(183MHz);6代表
6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz);75代表7.5ns(133MHz);8代表8ns(125MHz);10P代表
10ns(100MHZ CL=2 或3);10S代表10ns(100MHz CL=3);10代表10ns(10MHz);12代表
12ns(83MHz);15代表15ns(66MHz)。
L字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度;E代表扩大温度。
小提示:大家不要以为速度标识为10P、10S和10的SDRAM内存就一定符合PC100规
范。实际上只有速度标识为10P和10S的SDRAM内存才符合PC100规范,而速度标识为10的
SDRAM内存只是PC66。
LGS SDRAM 内存芯片的旧编号
GM 72 X XX XX X X X XX XX XXX
A B C D E F G H I J K
A字段由GM组成,代表LGS内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。72代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。V代表CMOS、3.3V电压。
D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、4K刷新速度;17代表16Mbit密度、2K刷新速度;64代表64Mbit密度、16K刷新速度;65代表64Mbit密度、8K刷新速度;66代表64Mbit密度、4K刷新速度;28代表128Mbit密度、4K刷新速度。
E字段表示内存结构。4代表x4;8代表x8;16代表x16;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表1Bank;2代表2Bank;4代表4Bank;8代表8Bank。
G字段表示电气接口。1代表LVTTL。
H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表原版本;A代表第1版;B代表第2版;C代表第3版;D代表第4版;E代表第5版;F代表第6版。
I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗;L代表代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装(正常);R代表TSOP封装(颠倒);I代表BLP封装;S代表Stack封装。
K字段表示内存芯片的速度标识。6代表166MHz;65代表153MHz;7代表143MHz;75代表133MHz;8代表125MHz;7K代表PC100、2-2-2(tCK=10ns、CL=2、tAC=6ns);10K代表
PC66(tCK=15ns、CL=2、tAC=9ns);10J代表
PC66(tCK=10ns、CL=3、tAC=9.5ns);12代表83MHz;15代表66MHz。
SDRAM 内存芯片的新编号  
HY XX X XX XX X X XX X X X - XX X
A B C D E F G H I J K   L M
A字段由HY组成,代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V;Y代表VDD电压为
3.0V、VDDQ电压为3.0v;U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V;W代表VDD电压为
2.5V、VDDQ电压为1.8V;S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/
D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度;32代表32Mbit密度、4K刷新速度;64代表64Mbit密度、4K刷新速度;28代表128Mbit密度、4K刷新速度;2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度;56代表256Mbit密度、8K刷新速度;12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。4代表x4;8代表x8;16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank;2代表4Bank。
G字段表示电气接口。0代表LVTTL;1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版;A或HA代表第2版;B或HB代表第3版;C或HC代表第4版。也有一些特殊的编号规则,如:编号为HY57V64420HFT是第7版;编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版;编号为HY57V28420AT是第3版;编号为HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗;L代表代功耗;S代表超代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装;K代表Stack封装(Type1);J代表Stack封装(Type2)。
K字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常;P代表Pb free;H代表Halogen free;R代表Pb & Halogen free。
L字段表示内存芯片的速度标识。5代表200MHz;55代表183MHz;6代表166MHz;7代表143MHz;K代表PC133(CL=2);H代表PC133(CL=3);8代表125MHz;P代表PC133(CL=2);S代表PC100(CL=3);10代表100MHz。
M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度;E代表扩大温度。
DDR SDRAM 内存芯片的新编号  
HY XX X XX XX X X X X X X - XX X
A B C D E F G H I J K  L M
A字段由HY组成,代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。5D代表DDR SDRAM内存;5P代表DDR-II内存。
C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为2.5V;U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V;W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V;S代表VDD电压为 1.8V、VDDQ电压为1.8V。
D字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、4K刷新速度;66代表64Mbit密度、2K刷新速度;28代表128Mbit密度、4K刷新速度;56代表256Mbit密度、8K刷新速度;12代表512Mbit密度、8K刷新速度;1G代表1Gbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。4代表x4;8代表x8;16代表x16;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank;2代表4Bank;3代表8Bank。
G字段表示电气接口。1代表SSTL_3;2代表SSTL_2;3代表SSTL_18。
H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版;A代表第2版;B代表第3版;C代表第4版。
I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗;L代表代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装;Q代表LQFP封装;F代表FBGA封装;S代表Stack封装(Hynix);K代表Stack封装(M&T);J代表Stack封装(其它)。
K字段表示内存芯片的封装村料。空白代表正常;P代表Pb free;H代表Halogen free;R代表Pb & Halogen free。
L字段表示内存芯片的速度标识。26代表375MHz;28代表350MHz;3代表333MHz;33代表300MHz;45代表222MHz;5代表200MHz;55代表18MHz;6代表166MHz;D4代表DDR400;D5代表DDR533;J代表DDR333;M代表DDR266 2-2-2;代表DDR266A;H代表DDR266B;L代表DDR200。
M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度;E代表扩大温度。
DRDRAM 内存芯片的新编号 
HY XX X XXX XX X X XX
A B C D E F G H
A字段由HY组成,代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。5R代表DRDRAM内存。
C字段表示工作电压。空白代表CMOS、1.5V电压;W代表CMOS、1.8V电压。
D字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、8K刷新速度;72代表72Mbit密度、8K刷新速度;128代表128Mbit密度、8K刷新速度;144代表144Mbit密度、8K刷新速度;256代表256Mbit密度、16K刷新速度;288代表288Mbit密度、16K刷新速度。
E字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版;A或HA代表第2版;B或HB代表第3版;C或HC代表第4版;D或HD代表第5版。
F字段表示内存芯片的封装方式。E代表Edge Bonding封装;C代表Center Bonding封 装;M代表irror封装。
G字段表示工作频率。6代表600MHz;7代表711MHz;8代表800MHz。
H字段表示内存芯片的速度标识,此速度是指tRAC(Row Access Time)。40代表40ns;45代表45ns;50代表50ns;53代表53ns。
小提示:如何得知内存条的总容量
只需查看“密度与刷新速度”字段,如果密度是64Mbit,则表示一片内存芯片的容量为8MB(64Mbit÷8) 。现在再数数内存条的正反两面的内存芯片数量(有些带ECC功能的内存条是会多加一片内存芯片,不要将它计算在内),我想大家就不难计算出这条内存条有多大容量了吧!
作者: zw1395    时间: 2008-12-6 13:11

有点迷糊,先学习了
作者: 调情    时间: 2008-12-6 22:54

学习了!!顶一个!!




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